Weiterführung der Forschung als Seniorprofessor Halbleitertechnik

Altdatenmigration

Kooperations- und Dienstleistungsangebote

Beratung:
Atomlagenabscheidung von ultradünnen metallischen und Isolatorschichten für Anwendungen in der Mikro- und Nanoelektronik;
Kontakt: Dr. M. Albert; Tel. 035146336412; e-mail:matthias.albert@tu-dresden.de;

Beratung:
Bumping von flexiblen und starren Substraten incl. Si Wafer bis 6 inch; Kontakt: Herr Dr.rer.nat. Christian Wenzel; Tel.: 463 36413; E-Mail: christian.wenzel@tu-dresden.de;

Beratung:
Vakuumtechnische Abscheidung von Weichlotlegierungen Kontakt: Herr Dr.rer.nat. Christian Wenzel; Tel.: 463 36413; E-Mail: christian.wenzel@tu-dresden.de;
Mit Hilfe eines 4-Tiegel-Elektronenstrahlverdampfers ist es möglich, auf bis zu 6 inch Substraten Metalle und Legierungen, die Weichlote bilden können, sandwichartig abzuscheiden und umzuschmelzen. Auf diese Art entstehen sehr saubere und bis zu mehreren 10 µm dicke Weichlote. Am Beispiel der Variation der Zusammensetzung des PbSn-Weichlotes können sowohl die Schmelztemperatur als auch andere Weichloteigenschaften verändert werden. Bisher wurden folgende Metalle und ihre Kombinationen hergestellt: Sn, Pb, In, Bi, Sb. Die Weichlote können auch über einen lift-off Maskierungsschritt strukturiert aufgebracht werden, so dass Weichlotelemente von bis zu ca. 10(-9) cm3 Volumen hergestellt werden können. Ein Anwendungsbespiel dafür sind die sog. Lotbumps für die Flip-Chip-Kontaktierung von integrierten Bauelementen;

Beratung:
Tiefenstrukturierung von Si (Aspektverhältnis ca. 1:100);
Kontakt: Herr Dr.rer.nat. Christian Wenzel/ Dr.-Ing. K. Richter; Tel.: 463 36413/36424; E-Mail: christian.wenzel@tu-dresden.de. Mit Hilfe eines sog. Advanced Silicon Etch (ASE) Prozesses ist es möglich, unabhängig von der Kornorientierung tiefe Strukturen ins Silizium zu ätzen. Das Aspektverhältnis (Tiefe:Breite einer Struktur) kann dabi bis etwa 100 betragen. Die Anwendung einer solchen Technik bringt einen großen Innovationsschub im Bereich der Mikrosystemtechnik, speziell in der Si-Mikromechanik und der Mikrofluidik.

Beratung:
Galvanische Abscheidung von Kupfer, Diffusionsbarrieren und hochschmelzenden Loten;
Kontakt: Herren Dr.rer.nat. Ullrich Künzelmann; Tel.: 463 36409; E-Mail: ulrich.kuenzelmann@tu-dresden.de und Dr.rer.nat. Volker Neumann; Tel. 46335161; E-Mail: volker.neumann@tu-dresden.de;
Diffusionsbarrieren sind in der Mikroelektronik/Mikrosystemtechnik von hoher Bedeutung für die Zuverlässigkeit von Bauelementen. Die elektrochemische Herstellung von Barrieren und hochschmelzenden Loten besitzt eine Reihe von Vorteilen, insbesondere hinsichtlich der Kosten. Beispiele sind: hochschmelzende Lote PbSn3...5, Barrieren NiSn, NiW, NiRe (auch stromlos abscheidbar). Die galvanische Abscheidung von Kupfer spielt eine immer wichtigere Rolle beim Metallisieren von höchstintergrierten Halbleiterbauelementen. Es besteht die Möglichekeit, mit speziell für sehr kleine Strukturen optimierten Elektrolyten Kupferabscheidungen auf Si-Wafern mit 4 bis 8 inch Größe vorzunehmen.

Beratung:
Metallisierung tiefer Grabenstrukturen; Kontakt: Herr Dr.rer.nat. Christian WenzelrnTel.: 463 36413 E-Mail: christian.wenzel@tu-dresden.de.
In der Mikroelektronik/Mikrosystemtechnik gibt es sehr oft die Notwendigkeit, metallische Leiterzüge herzustellen. Eine Möglichkeit der Strukturierung der Leiterzüge ist das sog. Chemisch Mechanische Polieren (CMP). Dazu ist es erforderlich, vor dem CMP Metall in Gräben und Löcher möglichst voidfrei einzubringen. Da die Gräben und Löcher in der Regel ein hohes Aspektverhältnis besitzen, sind nur MO-CVD-, elektrochemische und spezielle PVD-Verfahren dafür geeignet. Bis auf die MO-CVD Techniken sind insbesondere zur Herstellung von Cu-Leiterbahnen verschiedene Verfahren im Einsatz, die Gräben mit Aspektverhältnissen von bis zu 3 (PVD) und bis zu 6 (elektrochemische Verfahren) füllen können. In Verbindung mit CMP ist die Fertigung spezieller Teststrukturen nach Kundenwunsch möglich.

Beratung: Chemisch Mechanisches Polieren (CMP);
Kontakt: Herr Dr.rer.nat. Ullrich KünzelmannrnTel.: 463 36409; E-Mail: ulrich.kuenzelmann@tu-dresden.de.
Das Chemisch Mechanische Polieren (CMP) dient einerseits der Planarisierung von Mehrschichtaufbauten undrnandererseits zur Strukturierung von Metallbahnen bzw. Durchkontaktierungen. Es wird zwischen der Metall-CMP und der Oxid-CMP unterschieden. In Verbindung mit polymeren Isolatorwerkstoffen ist auch eine Polymer-CMP im Entstehen. An der Professur liegen insbesondere Erfahrungen zur Cu-CMP und zur Planarisierung von polymeren Schichten (BCB, SiLK) vor. Es können Beratungen und die Herstellung bestimmter Strukturen ausgeführt werden.

Beratung: Elektrische Bewertung von Schaltungen, Kontakten und Materialsystemen;
Kontakt: Herr Prof.Dr.rer.nat. Johann Wolfgang BartharnTel.: 463 35292/35468; Fax: 463 37172rnE-Mail: johann.bartha@tu-dresden.de; URL: www.ihm.tu-dresden.de.
Für die Charakterisierung von technologischen Teilprozessen und mikroelektronischen bzw. mikrosystemtechnischen Bauelementen ist eine elektrische Charakterisierung der Funktionsweise unbedingt erforderlich. Beginnend bei der Bestimmung elektrischer Parameter von Schichten und Strukturen, wie z.B. des Schicht- oder Leitbahnwiderstandes, der Messung von Kontaktwiderständen bzw. des Kontaktverhaltens bis hin zur Bewertung der Zuverlässigkeit mikroelektronischer Systeme und deren Funktionsweise in Abhängigkeit bestimmter thermomechanischer und elektrischer Belastungen sind Erfahrungen, Anlagen und Forschungsergebnisse vorhanden.

Weiterbildungsangebote: Dresdner Sommerschule Mikroelektronik;
Kontakt: Herr Prof.Dr.rer.nat. Johann Wolfgang Bartha; Tel.: 463 35292/35468; Fax: 463 37172; E-Mail: johann.bartha@tu-dresden.de; www.ihm.tu-dresden.de.

Weitere Informationen finden Sie auf der Internet Seite: www.microelectronics-academy.de/