Professur für Optoelektronische Bauelemente und Systeme (gB/FG)
Organisation: Professur
Organisationsprofil
Ehemalige:r Inhaber:in der Professur: Prof. Dr.-Ing. Hubert Lakner
Kontakt
- TUD Webseite: https://tu-dresden.de/ing/elektrotechnik/ihm/oes
Verknüpfte Inhalte und Forschende (öffentliche Profile)
- Veröffentlichungen
- Zeitschriften
Theory and Experiment of Antiferroelectric (AFE) Si-Doped Hafnium Oxide (HSO) Enhanced Floating-Gate Memory
Ali, T., Polakowski, P., Buttner, T., Kampfe, T., Rudolph, M., Patzold, B. & Hoffmann, R. & 8 weitere, Czernohorsky, M., Kuhnel, K., Steinke, P., Zimmermann, K., Biedermann, K., Eng, L. M., Seidel, K. & Muller, J., Aug. 2019, in: IEEE Transactions on Electron Devices. 66, 8, S. 3356-3364 9 S., 8744290.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Quasi-statischer MOEMS-Gitterscanner zum spektralen Durchstimmen eines MIR-Quantenkaskadenlasers
Merten, A., Schroedter, R., Dreyhaupt, A., Graßhoff, T., Schwarzenberg, M., Hugger, S. & Schilling, C. & 2 weitere, Grahmann, J. & Ostendorf, R., März 2019, in: Technisches Messen : tm ; Sensoren, Geräte, Systeme. 86, 3, S. 131-143Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Switching Kinetics in Nanoscale Hafnium Oxide Based Ferroelectric Field-Effect Transistors
Mulaosmanovic, H., Ocker, J., Müller, S., Schroeder, U., Müller, J., Polakowski, P. & Flachowsky, S. & 3 weitere, Bentum, R. V., Mikolajick, T. & Slesazeck, S., 1 Feb. 2017, in: ACS applied materials & interfaces. 9, 4, S. 3792–3798 7 S.Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
A 28nm HKMG super low power embedded NVM technology based on ferroelectric FETs
Trentzsch, M., Flachowsky, S., Richter, R., Paul, J., Reimer, B., Utess, D. & Jansen, S. & 11 weitere, Mulaosmanovic, H., Muller, S., Slesazeck, S., Ocker, J., Noack, M., Muller, J., Polakowski, P., Schreiter, J., Beyer, S., Mikolajick, T. & Rice, B., 31 Jan. 2017, 2016 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2016. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., S. 11.5.1-11.5.4 7838397. (Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM).Publikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten › Beitrag in Konferenzband › Beigetragen › Begutachtung
Novel ferroelectric FET based synapse for neuromorphic systems
Mulaosmanovic, H., Ocker, J., Muller, S., Noack, M., Muller, J., Polakowski, P. & Mikolajick, T. & 1 weitere, Slesazeck, S., 2017, Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology.Publikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten › Beitrag in Konferenzband › Beigetragen › Begutachtung
ECS Journal of Solid State Science and Technology : JSS
ISSNs: 2162-8769
Weitere durchsuchbare ISSN (elektronisch): 2162-8777
Electrochemical Society Inc., USA/Vereinigte Staaten
Scopus-Bewertung (2024): CiteScore 4,4 SJR 0,393 SNIP 0,605
Fachzeitschrift: Zeitschrift
Proceedings of SPIE : Vol. 9798
ISSNs: 0277-786X, 0361-0748, 0038-7355
SPIE - The international society for optics and photonics, Bellingham
Scopus-Bewertung (2024): CiteScore 0,5 SJR 0,146 SNIP 0,198
Fachzeitschrift: Schriftenreihe
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters
ISSNs: 0021-4922, 1347-4065
Japan Society of Applied Physics
Fachzeitschrift: Zeitschrift
Microelectronic Engineering
ISSNs: 0167-9317
Elsevier Science B.V., Niederlande
Scopus-Bewertung (2024): CiteScore 5,5 SJR 0,539 SNIP 0,985
Fachzeitschrift: Zeitschrift
Technisches Messen : tm ; Sensoren, Geräte, Systeme
ISSNs: 0171-8096, 0340-837X
Weitere durchsuchbare ISSN (elektronisch): 2196-7113
De Gruyter, Berlin [u. a.], Deutschland
Scopus-Bewertung (2024): CiteScore 1,8 SJR 0,254 SNIP 0,515
Fachzeitschrift: Zeitschrift