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Microelectronic Engineering

ISSNs: 0167-9317

Elsevier Science B.V., Niederlande

Scopus-Bewertung (2023): CiteScore 5,3 SJR 0,503 SNIP 0,847

Fachzeitschrift: Zeitschrift

Titel
  • Microelectronic Engineering
Weitere durchsuchbare TitelMicroelectronic engineering, Microelectronic engineering : an international journal of semiconductor manufacturing technology
ISSNs0167-9317
VerlagElsevier Science B.V.
Land/GebietNiederlande
ZDB-ID605230-7
ZDB-ID1497065-X

Verknüpfte Inhalte

Characterization of self-assembled monolayers for CueCu bonding technology

Lykova, M., Langer, E., Hinrichs, K., Panchenko, J., Meyer, J., Künzelmann, U. & Wolf, M. J. & 1 weitere, Lang, K. D., 16 Okt. 2018, in: Microelectronic Engineering. 202, S. 19-24 6 S.

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftForschungsartikelBeigetragenBegutachtung

Solid-state dewetting of single-crystal silicon on insulator: effect of annealing temperature and patch size

Abbarchi, M., Naffouti, M., Lodari, M., Salvalaglio, M., Backofen, R., Bottein, T. & Voigt, A. & 10 weitere, David, T., Claude, J.-B., Bouabdellaoui, M., Benkouider, A., Fraj, I., Favre, L., Ronda, A., Berbezier, I., Grosso, D. & Bollani, M., 15 Apr. 2018, in: Microelectronic Engineering. 190, S. 1-6 6 S.

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftForschungsartikelBeigetragenBegutachtung

Optimizing process conditions for improved Hf<inf>1 − x</inf>Zr<inf>x</inf>O<inf>2</inf>ferroelectric capacitor performance

Mittmann, T., Fengler, F. P. G., Richter, C., Park, M. H., Mikolajick, T. & Schroeder, U., 2017, in: Microelectronic Engineering. 178, S. 48-51 4 S.

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftForschungsartikelBeigetragenBegutachtung

On/off-ratio dependence of bulk hetero junction photodiodes and its impact on electro-optical properties

Jahnel, M., Thomschke, M., Ullbrich, S., Fehse, K., An, J. D., Park, H. & Leo, K. & 2 weitere, Im, C. & Kirchhoff, V., 20 Feb. 2016, in: Microelectronic Engineering. 152, S. 20-25

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftForschungsartikelBeigetragenBegutachtung

In-situ study of the TDDB-induced damage mechanism in Cu/ultra-low-k interconnect structures

Liao, Z., Gall, M., Yeap, K. B., Sander, C., Muehle, U., Gluch, J. & Standke, Y. & 6 weitere, Aubel, O., Vogel, N., Hauschildt, M., Beyer, A., Engelmann, H.-J. & Zschech, E., 2 Apr. 2015, in: Microelectronic Engineering. 137, S. 47-53 7 S.

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftForschungsartikelBeigetragenBegutachtung