Optimizing process conditions for improved Hf1 − xZrxO2 ferroelectric capacitor performance

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • T. Mittmann - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • F.P.G. Fengler - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • C. Richter - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • Min Hyuk Park - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • U. Schroeder - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)48-51
Seitenumfang4
FachzeitschriftMicroelectronic Engineering
Jahrgang178
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2017
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 85018359703

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