Ferroelectricity in HfO 2 enables nonvolatile data storage in 28 nm HKMG

Publikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/GutachtenBeitrag in KonferenzbandBeigetragenBegutachtung

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OriginalspracheEnglisch
TitelVLSI
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2012
Peer-Review-StatusJa

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