Ferroelectricity in HfO 2 enables nonvolatile data storage in 28 nm HKMG
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Beitragende
Details
| Originalsprache | Englisch |
|---|---|
| Titel | VLSI |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2012 |
| Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
| Scopus | 84866536057 |
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