Ferroelectric Tunnel Junctions based on Ferroelectric-Dielectric Hf(0.5)Zro(0.5)O(2) /Al2O3 Capacitor Stacks

Publikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten › Beitrag in Konferenzband › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
Titel2018 48TH EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE (ESSDERC)
Seiten142-145
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2018
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

ORCID /0000-0003-3814-0378/work/142256133

Schlagworte

Schlagwörter

  • ferroelectric tunnel junction, Hf1-xZrxO2, memory