Endurance improvements and defect characterization in ferroelectric FETs through interface fluorination
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Beitragende
Abstract
HfO2-based ferroelectric FETs (FeFETs) offer excellent retention, scalability, and memory window. However, achieving high endurance is still challenging. Here, a fluorination treatment is presented that enables significant endurance and device stability improvement. Noise and charge pumping methods are applied to obtain deeper understanding of the underlying defect interaction in FeFETs.
Details
| Originalsprache | Englisch |
|---|---|
| Titel | 2022 IEEE International Memory Workshop (IMW) |
| Erscheinungsort | Dresden |
| ISBN (elektronisch) | 978-1-6654-9947-7 |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2022 |
| Peer-Review-Status | Ja |
Publikationsreihe
| Reihe | IEEE International Memory Workshop (IMW) |
|---|---|
| ISSN | 2330-7978 |
Konferenz
| Titel | 2022 IEEE International Memory Workshop |
|---|---|
| Kurztitel | IMW 2022 |
| Dauer | 15 - 18 März 2022 |
| Stadt | Dresden |
| Land | Deutschland |
Externe IDs
| ORCID | /0000-0002-2484-4158/work/142257599 |
|---|
Schlagworte
ASJC Scopus Sachgebiete
Schlagwörter
- Charge Pumping, FeFET, Flicker Noise, Hafnium Oxide, Interface Traps, Interface Treatments