Analysis of threshold voltage instability in AlGaN/GaN MISHEMTs by forward gate voltage stress pulses
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Beitragende
Details
| Originalsprache | Englisch |
|---|---|
| Seiten (von - bis) | 1246-1251 |
| Seitenumfang | 6 |
| Fachzeitschrift | Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science |
| Jahrgang | 213 |
| Ausgabenummer | 5 |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - 18 Jan. 2016 |
| Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
| Scopus | 84968866570 |
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