ORGANISCHER DÜNNSCHICHT-TRANSISTOR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN

Research output: Intellectual propertyPatent application/Patent

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Abstract

Es wird ein Organischer Dünnschicht-Transistor (OTFT), insbesondere Dünnschicht-Feldeffekttransistor (OFET), vorgeschlagen, aufweisend eine Source-Elektrode, eine Drain-Elektrode, eine in Top-Gate-Anordnung angeordnete Gate-Elektrode und eine organische Halbleiterfunktionsschicht, wobei die Source-Elektrode, die Drain-Elektrode und die Gate-Elektrode in einem koplanaren Schichtaufbau angeordnet sind, wobei der organische Dünnschicht-Transistor eine Zwischenschicht zur kapazitiven Entkopplung der Gate-Elektrode von der Source-Elektrode und/oder von der Source-Elektrode aufweist.

Details

Es wird ein Organischer Dünnschicht-Transistor (OTFT), insbesondere Dünnschicht-Feldeffekttransistor (OFET), vorgeschlagen, aufweisend eine Source-Elektrode, eine Drain-Elektrode, eine in Top-Gate-Anordnung angeordnete Gate-Elektrode und eine organische Halbleiterfunktionsschicht, wobei die Source-Elektrode, die Drain-Elektrode und die Gate-Elektrode in einem koplanaren Schichtaufbau angeordnet sind, wobei der organische Dünnschicht-Transistor eine Zwischenschicht zur kapazitiven Entkopplung der Gate-Elektrode von der Source-Elektrode und/oder von der Source-Elektrode aufweist.

Original languageGerman
IPC (International Patent Classification)H01L 51/ 40 A I
Patent numberDE102019200810
Country/TerritoryGermany
Priority date23 Jan 2019
Priority numberDE201910200810
Publication statusPublished - 23 Jul 2020
No renderer: customAssociatesEventsRenderPortal,dk.atira.pure.api.shared.model.researchoutput.Patent

External IDs

ORCID /0000-0002-9773-6676/work/142659846