ORGANISCHER DÜNNSCHICHT-TRANSISTOR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN
Publikation: Geistiges Eigentum › Patentanmeldung/Patent
Beitragende
Abstract
Es wird ein Organischer Dünnschicht-Transistor (OTFT), insbesondere Dünnschicht-Feldeffekttransistor (OFET), vorgeschlagen, aufweisend eine Source-Elektrode, eine Drain-Elektrode, eine in Top-Gate-Anordnung angeordnete Gate-Elektrode und eine organische Halbleiterfunktionsschicht, wobei die Source-Elektrode, die Drain-Elektrode und die Gate-Elektrode in einem koplanaren Schichtaufbau angeordnet sind, wobei der organische Dünnschicht-Transistor eine Zwischenschicht zur kapazitiven Entkopplung der Gate-Elektrode von der Source-Elektrode und/oder von der Source-Elektrode aufweist.
Details
Es wird ein Organischer Dünnschicht-Transistor (OTFT), insbesondere Dünnschicht-Feldeffekttransistor (OFET), vorgeschlagen, aufweisend eine Source-Elektrode, eine Drain-Elektrode, eine in Top-Gate-Anordnung angeordnete Gate-Elektrode und eine organische Halbleiterfunktionsschicht, wobei die Source-Elektrode, die Drain-Elektrode und die Gate-Elektrode in einem koplanaren Schichtaufbau angeordnet sind, wobei der organische Dünnschicht-Transistor eine Zwischenschicht zur kapazitiven Entkopplung der Gate-Elektrode von der Source-Elektrode und/oder von der Source-Elektrode aufweist.
Originalsprache | Deutsch |
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IPC (Internationale Patentklassifikation) | H01L 51/ 40 A I |
Veröffentlichungsnummer | DE102019200810 |
Land/Gebiet | Deutschland |
Prioritätsdatum | 23 Jan. 2019 |
Prioritätsnummer | DE201910200810 |
Publikationsstatus | Veröffentlicht - 23 Juli 2020 |
Externe IDs
ORCID | /0000-0002-9773-6676/work/142659846 |
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