Trapped charge densities in Al2O3-based silicon surface passivation layers
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Beitragende
Details
| Originalsprache | Englisch |
|---|---|
| Aufsatznummer | 215306 |
| Fachzeitschrift | Journal of applied physics |
| Jahrgang | 119 |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - 7 Juni 2016 |
| Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
| Scopus | 84974555884 |
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