Trapped charge densities in Al2O3-based silicon surface passivation layers
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Beitragende
Details
Originalsprache | Englisch |
---|---|
Aufsatznummer | 215306 |
Fachzeitschrift | Journal of applied physics |
Jahrgang | 119 |
Publikationsstatus | Veröffentlicht - 7 Juni 2016 |
Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
Scopus | 84974555884 |
---|