TITANIUM GETTERING IN SILICON - INVESTIGATION BY DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY AND SECONDARY ION MASS-SPECTROSCOPY

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)3472-3474
Seitenumfang3
FachzeitschriftJournal of Applied Physics
Ausgabenummer8
PublikationsstatusVeröffentlicht - 1987
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 0008495167

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