TaN metal gate damage during high-k (Al2O3) high-temperature etch

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • M. Ackermann - (Autor:in)
  • L. Bach - (Autor:in)
  • M. F. Beug - (Autor:in)
  • U. Bewersdorff-Sarlette - (Autor:in)
  • V. Beyer - (Autor:in)
  • N. Chan - (Autor:in)
  • M. Czernohorsky - (Autor:in)
  • R. Knofler - (Autor:in)
  • C. Ludwig - (Autor:in)
  • P. Michalowski - (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik (Autor:in)
  • J. Paul - (Autor:in)
  • A. Tilke - (Autor:in)
  • S. Wege - (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)949 - 952
FachzeitschriftMicroelectronic Engineering
Jahrgang86
Ausgabenummer4-6
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2009
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 67349197835

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