Reliability of Al2O3-doped ZrO2 high-k dielectrics in three-dimensional stacked metal-insulator-metal capacitors

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • E. Erben - (Autor:in)
  • Johannes Heitmann - (Autor:in)
  • G. Jegert - (Autor:in)
  • M. Kerber - (Autor:in)
  • S. Knebel - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • U. Schroeder - (Autor:in)
  • W. Weinreich - (Autor:in)
  • J. Xu - , Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme (Autor:in)
  • D. Y. Zhou - (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Aufsatznummer124104
FachzeitschriftJournal of applied physics
Jahrgang108
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2010
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 78650906750

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