Reliability comparison of ZrO<inf>2</inf>-based DRAM high-k dielectrics under DC and AC stress

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)324 - 330
FachzeitschriftIEEE transactions on device and materials reliability
Jahrgang17
Ausgabenummer2
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2017
Peer-Review-StatusJa

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