Reliability comparison of ZrO2-based DRAM high-k dielectrics under DC and AC stress

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • S. Knebel - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • D. Zhou - , Dalian University of Technology (Autor:in)
  • U. Schroeder - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • S. Slesazeck - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • M. Pešíc - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • R. Agaiby - , Global Foundries Dresden (Autor:in)
  • J. Heitmann - , Technische Universität Bergakademie Freiberg (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)324 - 330
FachzeitschriftIEEE transactions on device and materials reliability
Jahrgang17
Ausgabenummer2
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2017
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 85025624598

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