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Forschungsportal der TU Dresden

Pseudo-vertical GaN-based trench gate metal oxide semiconductor field effect transistor

Publikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten › Beitrag in Konferenzband › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

R. Hentschel - , Professur für Nanoelektronik (Autor:in)
A. Wachowiak - (Autor:in)
A. Großer - (Autor:in)
A. Jahn - , Professur für Halbleitertechnik (Autor:in)
U. Merkel - , Professur für Halbleitertechnik (Autor:in)
A. Wille - (Autor:in)
H. Kalisch - (Autor:in)
A. Vescan - (Autor:in)
S. Schmult - , Professur für Nanoelektronik (Autor:in)
T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik (Autor:in)

Details

Originalsprache	Englisch
Titel	ASDAM 2016 - Conference Proceedings, 11th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
Publikationsstatus	Veröffentlicht - 2017
Peer-Review-Status	Ja

Externe IDs

Scopus	85011048578

Schlagworte