Polycrystalline silicon gate originated CMOS device failure investigated by Scanning Spreading Resistance Microscopy

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • S. Doering - (Autor:in)
  • A. Wachowiak - (Autor:in)
  • M. Rochel - (Autor:in)
  • C. Nowak - (Autor:in)
  • M. Hoffmann - , Infineon Technologies Dresden GmbH & Co. KG (Autor:in)
  • U. Winkler - (Autor:in)
  • M. Richter - (Autor:in)
  • H. Roetz - (Autor:in)
  • S. Eckl - (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)40-46
FachzeitschriftMicroelectronic Engineering
Jahrgang142
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2015
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 84938880632

Schlagworte

Bibliotheksschlagworte