Normally-off operating GaN-based pseudovertical MOSFETs with MBE grown source region

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
Aufsatznummer02D109
Fachzeitschrift Journal of vacuum science & technology : JVST ; B, Nanotechnology & microelectronics : materials, processing, measurement, & phenomena
Jahrgang36
Ausgabenummer2
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2018
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

WOS 000428280500019
Scopus 85043269076

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