Multi-staged deposition of trench-gate oxides for power MOSFETs

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • Markus Neuber - , Infineon Technologies Dresden GmbH & Co. KG (Autor:in)
  • Olaf Storbeck - , Infineon Technologies Dresden GmbH & Co. KG (Autor:in)
  • Maik Langner - , Infineon Technologies Dresden GmbH & Co. KG (Autor:in)
  • Knut Stahrenberg - , Infineon Technologies Dresden GmbH & Co. KG (Autor:in)
  • Thomas Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Aufsatznummer032202
FachzeitschriftJournal of Vacuum Science and Technology B:Nanotechnology and Microelectronics
Jahrgang37
PublikationsstatusVeröffentlicht - Mai 2019
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 85066156296

Schlagworte

Bibliotheksschlagworte