Mobility Investigations on Strained 30-nm High-k Metal Gate MOSFETs by Geometrical Magnetoresistance Effect

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
FachzeitschriftIEEE transactions on electron devices : ED
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2015
Peer-Review-StatusJa

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WOS 000355405800021
Scopus 84930225698

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