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IEEE transactions on electron devices : ED

ISSNs: 0018-9383, 0096-2430, 0197-6370, 1557-9646

Weitere durchsuchbare ISSN (elektronisch): 2379-8661

Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., USA/Vereinigte Staaten

Scopus-Bewertung (2023): CiteScore 5,8 SJR 0,785 SNIP 1,223

Fachzeitschrift: Zeitschrift

Titel
  • IEEE transactions on electron devices : ED(1963 → …)
  • IRE transactions on electron devices(1955 → 1962)
  • IEEE Transactions on Electron Devices
Weitere durchsuchbare TitelIEEE Trans Electron Devices, IEEE transactions on electron devices, IRE Transactions on Electron Devices, Transactions of the IRE Professional Group on Electron Devices
ISSNs0018-9383, 0096-2430, 0197-6370, 1557-9646
Weitere durchsuchbare ISSN (elektronisch)2379-8661
VerlagInstitute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
Land/GebietUSA/Vereinigte Staaten
ZDB-ID241634-7
ZDB-ID2028088-9

Schlagworte

ASJC-Scopus Sachgebiete

Bibliotheksschlagworte

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Embedded Silicon–Germanium-Based Thermoelectric Devices on 300-mm Wafer

Schwinge, C., Hoffmann, R., Biedermann, K., Czernohorsky, M., Kannan, J., Rudolph, M. & Mende, F. & 3 weitere, Wagner-Reetz, M., Gerlach, G. & Weinreich, W., 12 Nov. 2024, in: IEEE Transactions on Electron Devices. 71 (2024), 12, S. 7794-7801 8 S.

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Degradation of Nonhysteretic Switching in HZO-Al2O3Stacks Due to Positive Unipolar Stress

Engl, M., Mikolajick, T. & Slesazeck, S., 1 Feb. 2024, in: IEEE Transactions on Electron Devices. 71, 2, S. 1060-1065 6 S.

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

DC and AC Performance of InGaZnO Thin-Film Transistors on Flexible PEEK Substrate

Husain, Q. Z., Corsino, D., Catania, F., Ishida, K., Meister, T., Ellinger, F. & Münzenrieder, N. & 1 weitere, Cantarella, G., 2024, in: IEEE Transactions on Electron Devices. 71, 10, S. 6073-6078 6 S.

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Stochastic Resonance in HfO2-Based Memristors: Impact of External Noise on the Binary STDP Protocol

Salvador, E., Rodriguez Martinez, R., Miranda, E., Martin-Martinez, J., Rubio, A., Ntinas, V. & Sirakoulis, G. C. & 2 weitere, Crespo-Yepes, A. & Nafria, M., 2024, in: IEEE Transactions on Electron Devices. 71, 9, S. 5761-5766 6 S.

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

AC Performance Tunability of Flexible Bottom-Gate InGaZnO TFTs by an Additional Top-Gate Contact

Catania, F., Saeedzadeh Khaanghah, N., Corsino, D., Oliveira, H. D. S., Carrasco-Pena, A., Ishida, K. & Meister, T. & 3 weitere, Ellinger, F., Cantarella, G. & Munzenrieder, N., 1 Dez. 2023, in: IEEE Transactions on Electron Devices. 70, 12, S. 6359-6363 5 S.

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

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