Low leakage ZrO<inf>2</inf> based capacitors for sub 20 nm dynamic random access memory technology nodes
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Beitragende
Details
| Originalsprache | Englisch |
|---|---|
| Aufsatznummer | 064101 |
| Fachzeitschrift | Journal of applied physics |
| Jahrgang | 119 |
| Ausgabenummer | 6 |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2016 |
| Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
| Scopus | 84958559633 |
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