Low leakage ZrO2 based capacitors for sub 20 nm dynamic random access memory technology nodes

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • Milan Pešić - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • S. Knebel - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • M. Geyer - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • S. Schmelzer - , Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen (Autor:in)
  • U. Böttger - , Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen (Autor:in)
  • N. Kolomiiets - , KU Leuven (Autor:in)
  • V.V. Afanas'ev - , KU Leuven (Autor:in)
  • K. Cho - , Samsung (Autor:in)
  • C. Jung - , Samsung (Autor:in)
  • J. Chang - , Samsung (Autor:in)
  • H. Lim - , Samsung (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • U. Schroeder - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Aufsatznummer064101
FachzeitschriftJournal of applied physics
Jahrgang119
Ausgabenummer6
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2016
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 84958559633

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