INTERFACE PROPERTIES OF STRAINED INGAAS/INP QUANTUM-WELLS GROWN BY LP-MOVPE

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen

Beitragende

  • R SCHWEDLER - (Autor:in)
  • B GALLMANN - (Autor:in)
  • K WOLTER - (Autor:in)
  • A KOHL - (Autor:in)
  • H Kurz - (Autor:in)
  • S JUILLAGUET - (Autor:in)
  • J CAMASSEL - (Autor:in)
  • JP LAURENTI - (Autor:in)
  • FH BAUMANN - (Autor:in)
  • Karl Leo - , Professur für Optoelektronik (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)891-894
Seitenumfang4
FachzeitschriftMicroelectronic Engineering
Ausgabenummer1-4
PublikationsstatusVeröffentlicht - 1992
Peer-Review-StatusNein

Externe IDs

Scopus 0026924280