In-situ study of the TDDB-induced damage mechanism in Cu/ultra-low-k interconnect structures

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • Zhongquan Liao - , Dresden Center for Nanoanalysis (DCN) (Autor:in)
  • Martin Gall - (Autor:in)
  • Kong Boon Yeap - (Autor:in)
  • Christoph Sander - (Autor:in)
  • Uwe Muehle - (Autor:in)
  • Juergen Gluch - (Autor:in)
  • Yvonne Standke - (Autor:in)
  • Oliver Aubel - (Autor:in)
  • Norman Vogel - (Autor:in)
  • Meike Hauschildt - (Autor:in)
  • Armand Beyer - (Autor:in)
  • Hans-Juergen Engelmann - (Autor:in)
  • Ehrenfried Zschech - (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)47-53
Seitenumfang7
FachzeitschriftMicroelectronic Engineering
Jahrgang137
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2 Apr. 2015
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 85027938378

Schlagworte

Bibliotheksschlagworte