Influence of statistical dopant fluctuations on MOS transistors with deep submicron channel lengths

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)419-422
Seitenumfang4
FachzeitschriftMicroelectronic Engineering
Jahrgang21
Ausgabenummer1-4
PublikationsstatusVeröffentlicht - 1993
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

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