Impact of postdeposition annealing upon film properties of atomic layer deposition-grown Al2O3 on GaN

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

Details

OriginalspracheEnglisch
Aufsatznummer01A106
Fachzeitschrift Journal of vacuum science & technology : JVST ; B, Nanotechnology & microelectronics : materials, processing, measurement, & phenomena
Jahrgang33
Ausgabenummer1
PublikationsstatusVeröffentlicht - 29 Dez. 2014
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

WOS 000348915500006

Schlagworte

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