High-k/GaN interface engineering toward AlGaN/GaN MIS-HEMT with improved Vth stability

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • N. Szabó - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • A. Wachowiak - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • A. Winzer - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • J. Ocker - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • J. Gärtner - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • R. Hentschel - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • A. Schmid - , Technische Universität Bergakademie Freiberg (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Aufsatznummer01A102
Fachzeitschrift Journal of vacuum science & technology : JVST ; B, Nanotechnology & microelectronics : materials, processing, measurement, & phenomena
Jahrgang35
PublikationsstatusVeröffentlicht - 18 Nov. 2016
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 84994753025

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