High endurance strategies for hafnium oxide based ferroelectric field effect transistor

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Beitragende

J. Müller - (Autor:in)
P. Polakowski - , Professur für Optoelektronische Bauelemente und Systeme (gB/FG) (Autor:in)
S. Müller - (Autor:in)
J. Ocker - (Autor:in)
H. Mulaosmanovic - (Autor:in)
T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik (Autor:in)
S. Slesazeck - (Autor:in)
S. Flachowsky - (Autor:in)
M. Trentzsch - (Autor:in)

Originalsprache	Englisch
Titel	2016 16th Non-Volatile Memory Technology Symposium, NVMTS 2016
Publikationsstatus	Veröffentlicht - 2016
Peer-Review-Status	Ja

Scopus	85010805086