Ferroelectric Hf1-xZrxO2 Memories: Device Reliability and Depolarization Fields

Publikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten › Beitrag in Konferenzband › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

  • Patrick D. Lomenzo - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • Stefan Slesazeck - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • Michael Hoffmann - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • Thomas Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • Uwe Schroeder - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • Benjamin Max - , Arbeitsgruppe Cool Silicon, Professur für Nanoelektronik (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Titel2019 19th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS), Durham, NC, USA
Seiten1-8
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2019
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

ORCID /0000-0003-3814-0378/work/142256130
Scopus 85083718017

Schlagworte

Schlagwörter

  • FRAM, Depolarization, Retention, Wake-up, Memory Reliability