Ferroelectric hafnium oxide: A CMOS-compatible and highly scalable approach to future ferroelectric memories

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Beitragende

J. Muller - (Autor:in)
T.S. Boscke - (Autor:in)
S. Muller - (Autor:in)
E. Yurchuk - (Autor:in)
P. Polakowski - , Professur für Optoelektronische Bauelemente und Systeme (gB/FG) (Autor:in)
J. Paul - (Autor:in)
D. Martin - (Autor:in)
T. Schenk - , Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik (Autor:in)
K. Khullar - (Autor:in)
A. Kersch - (Autor:in)
W. Weinreich - (Autor:in)
S. Riedel - (Autor:in)
K. Seidel - (Autor:in)
A. Kumar - (Autor:in)
T.M. Arruda - (Autor:in)
S.V. Kalinin - (Autor:in)
T. Schlosser - (Autor:in)
R. Boschke - (Autor:in)
R. Van Bentum - (Autor:in)
U. Schröder - (Autor:in)
T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik (Autor:in)

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