Evidence of single domain switching in hafnium oxide based FeFETs: Enabler for multi-level FeFET memory cells

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Beitragende

H. Mulaosmanovic - (Autor:in)
Stefan Slesazeck - (Autor:in)
Johannes Ocker - (Autor:in)
M. Pesic - , Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik (Autor:in)
S. Muller - (Autor:in)
S. Flachowsky - (Autor:in)
J. Muller - (Autor:in)
P. Polakowski - , Professur für Optoelektronische Bauelemente und Systeme (gB/FG) (Autor:in)
J. Paul - (Autor:in)
S. Jansen - (Autor:in)
S. Kolodinski - (Autor:in)
C. Richter - (Autor:in)
S. Piontek - (Autor:in)
T. Schenk - , Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik (Autor:in)
A. Kersch - (Autor:in)
C. Kunneth - (Autor:in)
R. Van Bentum - (Autor:in)
U. Schroder - (Autor:in)
T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik (Autor:in)

Originalsprache	Englisch
Titel	Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM
Publikationsstatus	Veröffentlicht - 2015
Peer-Review-Status	Ja

Scopus	84964067792