Electrical stress on thin film TaN resistive structures

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Beitragende

  • Detlef Bonfert - , Fraunhofer-Institut für Elektronische Mikrosysteme und Festkörper-Technologien (Autor:in)
  • Horst Gieser - , Fraunhofer-Institut für Elektronische Mikrosysteme und Festkörper-Technologien (Autor:in)
  • Karlheinz Bock - , Professur für Aufbau- und Verbindungstechnik der Elektronik, Fraunhofer-Institut für Elektronische Mikrosysteme und Festkörper-Technologien, Technische Universität München (Autor:in)
  • Paul Svasta - , University Politehnica of Bucharest (Autor:in)
  • Ciprian Ionescu - , University Politehnica of Bucharest (Autor:in)

Abstract

Tantalum nitride thin films (TaNx) are mechanically hard, self-passivated and corrosion - resistive layers, often used for precise thin film resistors. In order to investigate the behavior at high current densities, a DC- and a pulsed measurement technique was applied to the film resistive structures. The analysis is made on TaNx thin film resistors on silicon substrates, with applied DC- and pulsed stress, showing the behavior before, during and after stressing. Permanent Changes or destruction of the resistive layer can occur.

Details

OriginalspracheDeutsch
Titel2011 IEEE 17th International Symposium for Design and Technology in Electronic Packaging (SIITME)
Herausgeber (Verlag)IEEE
Seiten313-318
Seitenumfang6
ISBN (Print)978-1-4577-1275-3
PublikationsstatusVeröffentlicht - 23 Okt. 2011
Peer-Review-StatusJa

Konferenz

Titel2011 IEEE 17th International Symposium for Design and Technology in Electronic Packaging (SIITME)
Dauer20 - 23 Oktober 2011
OrtTimisoara, Romania

Externe IDs

Scopus 84855774237
ORCID /0000-0002-0757-3325/work/139064843

Schlagworte

Schlagwörter

  • Resistors, Resistance, Current measurement, Electrical resistance measurement, Silicon, Transmission line measurements, Stress