EFFECTS OF ANNEALING ON LIFETIME AND DEEP-LEVEL PHOTOLUMINESCENCE IN SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE

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Beitragende

Details

OriginalspracheDeutsch
Seiten (von - bis)2946-2950
Seitenumfang5
FachzeitschriftJournal of Applied Physics
Ausgabenummer7
PublikationsstatusVeröffentlicht - 1987
Peer-Review-StatusNein

Externe IDs

Scopus 0007695062