Detailed analysis of oxide related charges and metal-oxide barriers in terrace etched Al2O3 and HfO2 on AlGaN/GaN heterostructure capacitors
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Beitragende
Details
| Originalsprache | Englisch |
|---|---|
| Aufsatznummer | 124106 |
| Fachzeitschrift | Journal of applied physics |
| Jahrgang | 118 |
| Ausgabenummer | 12 |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - 25 Sept. 2015 |
| Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
| Scopus | 84942543476 |
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