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Forschungsportal der TU Dresden

Demonstration of High-speed Hysteresis-free Negative Capacitance in Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2

Publikation: Beitrag in Buch/Konferenzbericht/Sammelband/Gutachten › Beitrag in Konferenzband › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

M. Hoffmann - , Professur für Nanoelektronik (Autor:in)
B. Max - , Arbeitsgruppe Cool Silicon, Professur für Nanoelektronik, Institut für Halbleiter- und Mikrosystemtechnik (IHM) (Autor:in)
T. Mittmann - , Professur für Nanoelektronik (Autor:in)
U. Schroeder - (Autor:in)
S. Slesazeck - (Autor:in)
T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik (Autor:in)

Details

Originalsprache	Englisch
Titel	2018 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)
Publikationsstatus	Veröffentlicht - 2018
Peer-Review-Status	Ja

Externe IDs

ORCID	/0000-0003-3814-0378/work/142256135

Schlagworte