Charge-Trapping Phenomena in HfO <inf>2</inf> -Based FeFET-Type Nonvolatile Memories

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung

Beitragende

E. Yurchuk - (Autor:in)
J. Muller - (Autor:in)
S. Muller - (Autor:in)
J. Paul - , Klinik und Poliklinik für Psychotherapie und Psychosomatik (Autor:in)
M. Pesic - , Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik (Autor:in)
R. Van Bentum - (Autor:in)
U. Schroeder - (Autor:in)
T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik (Autor:in)

Originalsprache	Englisch
Seiten (von - bis)	3501 - 3507
Seitenumfang	7
Fachzeitschrift	IEEE transactions on electron devices : ED
Jahrgang	63
Ausgabenummer	9
Publikationsstatus	Veröffentlicht - 22 Juli 2016
Peer-Review-Status	Ja

Scopus	84979293996