Carrier-phonon coupling in GaAs 1xBi x/GaAs quantum wells

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftForschungsartikelBeigetragenBegutachtung

Beitragende

  • A. Chernikov - , Philipps-Universität Marburg (Autor:in)
  • V. Bornwasser - , Philipps-Universität Marburg (Autor:in)
  • M. Koch - , Philipps-Universität Marburg (Autor:in)
  • S. W. Koch - , Philipps-Universität Marburg (Autor:in)
  • X. Lu - , Arizona State University (Autor:in)
  • S. R. Johnson - , Arizona State University (Autor:in)
  • D. A. Beaton - , University of British Columbia (Autor:in)
  • T. Tiedje - , University of Victoria BC (Autor:in)
  • S. Chatterjee - , Philipps-Universität Marburg (Autor:in)

Abstract

The phonon-assisted emission of GaAs 1 xBi x quantum wells with Bi concentrations up to x=0.055 is investigated by continuous-wave photoluminescence as a function of lattice temperature and excitation density. Strong carrier-phonon coupling is observed manifesting itself in a Huang-Rhys factor of up to 0.3 depending on the lattice temperature and Bi content. Carriers bound to Bi-clusters are identified to be the origin of the efficient carrier-phonon scattering.

Details

OriginalspracheEnglisch
Aufsatznummer085012
FachzeitschriftSemiconductor science and technology
Jahrgang27
Ausgabenummer8
PublikationsstatusVeröffentlicht - Aug. 2012
Peer-Review-StatusJa
Extern publiziertJa