Analog resistive switching behavior of Al/Nb2O5/Al device

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Beitragende

  • H. Mähne - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • H. Wylezich - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • F. Hanzig - , Technische Universität Bergakademie Freiberg (Autor:in)
  • Stefan Slesazeck - , NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)
  • D. Rafaja - , Technische Universität Bergakademie Freiberg (Autor:in)
  • T. Mikolajick - , Professur für Nanoelektronik, NaMLab - Nanoelectronic materials laboratory gGmbH (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Aufsatznummer104002
FachzeitschriftSemiconductor science and technology
Jahrgang29
Ausgabenummer10
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2014
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

Scopus 84907211036

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