Die Erfindung betrifft einen vertikalen organischen Transistor, auf einem Substrat aufweisend eine Elektrode (121), eine Gegenelektrode (123) und eine Schichtanordnung, die zwischen der Elektrode (121) und der Gegenelektrode (123) angeordnet ist, wobei die Schichtanordnung mit den folgenden Schichten gebildet ist: eine mittlere Elektrode (122), die einen Durchgang von elektrischen Ladungsträgern, die von der Elektrode (121) in die Schichtanordnung injiziert werden, durch die mittlere Elektrode (122) hindurch zulassend ausgeführt ist, so dass die injizierten elektrischen Ladungsträger von der Elektrode (121) durch die Schichtanordnung zu der Gegenelektrode transportierbar sind, eine organische Schicht (131) aus organischem Halbleitermaterial, die zwischen der mittleren Elektrode (122) und der Elektrode (121) angeordnet ist, eine weitere organische Schicht (132) aus organischem Halbleitermaterial, die zwischen der mittleren Elektrode (122) und der Gegenelektrode (123) angeordnet ist, und eine Dotierschicht (141), die zwischen der mittleren Elektrode (122) und der Elektrode (121) angeordnet ist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines vertikalen organischen Transistors.