Die Erfindung betrifft einen organischen Feldeffekt-Transistor, insbesondere organischer Dünnschicht-Feldeffekt-Transistor, mit einer Gate-Elektrode, einer Drain-Elektrode und einer Source-Elektrode, einer dielektrischen Schicht, die in Kontakt mit der Gate-Elektrode gebildet ist, einer aktiven Schicht aus organischem Material, die in Kontakt mit der Drain-Elektrode sowie der Source-Elektrode ist und die elektrisch undotiert ausgeführt ist, einer Dotierungsmaterial-Schicht, die ein Dotierungsmaterial enthält, welches für das organische Material der aktiven Schicht ein elektrischer Dotand ist, und einem Grenzflächenbereich, in welchem ein flächiger Kontakt zwischen der aktiven Schicht und der Dotierungsmaterial-Schicht gebildet ist, wobei eine Mobilität für gleichartige elektrische Ladungsträger, nämlich Elektronen oder Löcher, in der Dotierungsmaterial-Schicht höchstens halb so groß wie in der aktiven Schicht ist.