Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur spektral selektiven Detektion elektromagnetischer Strahlung

Research output: Intellectual PropertyPatent application/Patent

Contributors

  • Senorics GmbH
  • Dresden University of Technology

Abstract

Durch die direkte Anregung von optischen Übergängen in den intermolekularen CT-Zustand kann der mit organischen Photodetektoren detektierbare Wellenlängenbereich in den NIR- oder IR-Bereich ausgedehnt werden, wobei auch bei Ausnutzung von Resonanzeffekten durch Anordnung der photoaktiven Schicht in einer optischen Mikrokavität die EQE gering ist. Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (1, 1', 1'') sowie ein zugehöriges Detektionsverfahren, bei dem die Konzentration der Donor-Verbindung in der photoaktiven Schicht (2) oder die Konzentration der Akzeptor-Verbindung in der photoaktiven Schicht (2) so gering ist, dass die niedrig konzentrierte Verbindung Fallenzustände für die ihr zugeordneten Ladungsträger (81) bereitstellt, die eine photoinduzierte Anhäufung von der niedrig konzentrierten Verbindung zugeordneten Ladungsträgern (81) in einem der ersten Elektrode (31) zugewandten Bereich der photoaktiven Schicht (2) bewirken, so dass der hoch konzentrierten Verbindung zugeordnete Ladungsträger (82) von der ersten Elektrode (31) in die photoaktive Schicht (2) injiziert werden, wodurch diese Ladungsträgersorte im Bauelement (1, 1', 1'') überwiegt. Die so erzielte Erhöhung der EQE bietet insbesondere den Vorteil, den detektierbaren Wellenlängenbereich mittels der Erfindung zu höheren Wellenlängen hin ausweiten zu können.

Details

Durch die direkte Anregung von optischen Übergängen in den intermolekularen CT-Zustand kann der mit organischen Photodetektoren detektierbare Wellenlängenbereich in den NIR- oder IR-Bereich ausgedehnt werden, wobei auch bei Ausnutzung von Resonanzeffekten durch Anordnung der photoaktiven Schicht in einer optischen Mikrokavität die EQE gering ist. Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (1, 1', 1'') sowie ein zugehöriges Detektionsverfahren, bei dem die Konzentration der Donor-Verbindung in der photoaktiven Schicht (2) oder die Konzentration der Akzeptor-Verbindung in der photoaktiven Schicht (2) so gering ist, dass die niedrig konzentrierte Verbindung Fallenzustände für die ihr zugeordneten Ladungsträger (81) bereitstellt, die eine photoinduzierte Anhäufung von der niedrig konzentrierten Verbindung zugeordneten Ladungsträgern (81) in einem der ersten Elektrode (31) zugewandten Bereich der photoaktiven Schicht (2) bewirken, so dass der hoch konzentrierten Verbindung zugeordnete Ladungsträger (82) von der ersten Elektrode (31) in die photoaktive Schicht (2) injiziert werden, wodurch diese Ladungsträgersorte im Bauelement (1, 1', 1'') überwiegt. Die so erzielte Erhöhung der EQE bietet insbesondere den Vorteil, den detektierbaren Wellenlängenbereich mittels der Erfindung zu höheren Wellenlängen hin ausweiten zu können.

Original languageGerman
IPC (International Patent Classification)H01L 51/ 44 A I
Patent numberDE102021106049
Country/TerritoryGermany
Priority date12 Mar 2021
Priority numberDE202110106049
Publication statusPublished - 15 Sept 2022
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