Die vorliegende Arbeit befasst sich mit dem Entwurf eines monolithisch integrierten 60-GHz-Empfängerschaltkreises in einer modernen Silizium-Germanium-Halbleitertechnologie mit 190 GHz maximaler Transitfrequenz. Drei für die Entwicklung von MMIC-Empfängerschaltkreisen äußerst wichtige Prinzipien liegen dem Entwurf zugrunde: die Optimierung von Rauschverhalten und Bandbreite sowie die Betrachtung der maximal erreichbaren Ausgangsleistung. Diese Prinzipien werden detailliert untersucht und typische Schaltungen dahingehend analysiert. Insbesondere wird eine Methode vorgestellt, die es erlaubt, die maximale Ausgangsleistung für die häufig verwendete Kaskodestufe vorherzusagen. Dabei handelt es sich um eine Erweiterung der Methode der Lastkurve nach Cripps. Weiterhin werden Ansätze zur Modellierung von Leitungen vorgestellt und ihre Verwendbarkeit für die unterschiedlichen Simulationsarten diskutiert. Der Hauptteil der Arbeit behandelt den Entwurf des Empfängerschaltkreises, welcher aus einem breitbandigen Eingangsverstärker mit niedrigem Rauschen und einstellbarer Verstärkung, einem Leistungsteiler, einem direkten Quadratur-Abwärtsmischer, einem Basisbandverstärker, einem Treiberverstärker für das Lokaloszillatorsignal sowie einem 90°-Phasenschieber besteht. Zusätzlich sind verschiedene Referenzstrom- und -spannungsquellen im Schaltkreis integriert. Die gefertigte Schaltung wurde messtechnisch vollständig charakterisiert, und alle Ergebnisse sind wiedergegeben. Der gemessene Mischgewinn beträgt bis zu 40 dB bei einer Bandbreite von mehr als 15 GHz. Die Zweiseitenbandrauschzahl liegt bei moderaten 7,5 dB. Die gemessene Phasen- und Amplitudenabweichung sind geringer als 5° und geringer als 0,15 dB. Die Gesamtschaltung nimmt 360 mW Leistung aus einer 2,2-V-Spannungsquelle auf. Insbesondere die Bandbreite des Empfängerschaltkreises stellt eine Verbesserung des aktuellen Standes der Technik dar.