Anordnung mit mehreren Halbleiterbauelementen, aufweisend eine Schichtanordnung mit einem ersten und einem zweiten Halbleiterbauelement, die jeweils in einer Elektrodenschicht mit einer Drain- und einer Source-Elektrode und in einer weiteren Elektrodenschicht mit einer Gate-Elektrode sowie mit einem Schichtstapel zwischen der Elektrodenschicht und der weiteren Elektrodenschicht gebildet sind, wobei – das erste Halbleiterbauelement in einem ersten Bauelementbereich und das zweite Halbleiterbauelement in einem zweiten Bauelementbereich der Schichtanordnung gebildet sind, – die Elektrodenschicht eine gemeinsame Elektrodenschicht ist, in welcher die Drain- und die Source-Elektrode für das erste und das zweite Halbleiterbauelement gebildet sind, – der Schichtstapel des ersten und des zweiten Halbleiterbauelementes jeweils eine Halbleiterschicht aus organischem Material und eine Injektionsschicht aufweist, die zwischen der Halbleiterschicht und der Gate-Elektrode angeordnet ist und die ein jeweiliges molekulares Dotierungsmaterial enthält, welches im ersten Halbleiterbauelement ein elektrischer Dotand vom p-Typ für das organische Material der Injektionsschicht und im zweiten Halbleiterbauelement ein elektrischer Dotand vom n-Typ für das organische Material der Injektionsschicht ist, – in der Injektionsschicht des ersten Halbleiterbauelementes und des zweiten Halbleiterbauelementes jeweils ein Schichtbereich mit einer ersten Dotierungsaffinität des molekularen Dotierungsmaterials bezüglich des organischen Materials und ein weiterer Schichtbereich mit einer zweiten, im Vergleich zur ersten Dotierungsaffinität kleineren Dotierungsaffinität des molekularen Dotierungsmaterials bezüglich des organischen Materials gebildet sind, indem die beiden Injektionsschichten im Bereich zwischen der Drain- und der Source-Elektrode des ersten Halbleiterbauelementes sowie im Bereich zwischen der Drain- und der Source-Elektrode des zweiten Halbleiterbauelementes in Kontakt sind, so dass zumindest in den Kontaktbereichen zwischen der Drain- und der Source-Elektrode der elektrische Dotand vom p-Typ die Dotierungsaffinität des elektrischen Dotanden vom n-Typ bezüglich des organischen Materials der Halbleiterschicht im zweiten Halbleiterbauelement und der elektrische Dotand vom n-Typ die Dotierungsaffinität des elektrischen Dotanden vom p-Typ bezüglich des organischen Materials der Halbleiterschicht im ersten Halbleiterbauelement verändert, wodurch, und – sich wenigstens eine der folgenden Schichten in der Schichtanordnung in dem ersten und dem zweiten Bauelementbereich erstreckt: die Injektionsschicht des ersten Halbleiterbauelementes, die Injektionsschicht des zweiten Halbleiterbauelementes, die Halbleiterschicht des ersten Halbleiterbauelementes und die Halbleiterschicht des zweiten Halbleiterbauelementes.