Die Erfindung betrifft einen vertikalen organischen Transistor mit einer Schichtstruktur auf einem Substrat, die Schichtstruktur aufweisend: eine Elektrode, eine Gegenelektrode und eine elektronisch aktive Schichtanordnung, die zwischen der Elektrode und der Gegenelektrode angeordnet ist, wobei die Schichtanordnung die folgenden Schichten aufweist: eine mittlere Elektrode, die einen Durchgang von elektrischen Ladungsträgern, die von der Elektrode in die Schichtanordnung injiziert werden, durch die mittlere Elektrode hindurch zulassend ausgeführt ist, so dass im Betrieb die injizierten elektrischen Ladungsträger von der Elektrode durch die Schichtanordnung zu der Gegenelektrode transportierbar sind, eine organische Schicht aus organischem Halbleitermaterial, die zwischen der mittleren Elektrode und der Elektrode angeordnet ist, eine weitere organische Schicht aus organischem Halbleitermaterial, die zwischen der mittleren Elektrode und der Gegenelektrode angeordnet ist, und eine oder mehrere Funktionsschichten, die in der Schichtanordnung einen aktiven Bereich, in welchem im Betrieb zwischen Elektrode und Gegenelektrode durch die Schichtanordnung hindurch ein Betriebsstrom fließen kann, sowie einen nicht aktiven Bereich, der außerhalb des aktiven Bereiches angeordnet ist, zumindest abschnittsweise strukturieren. Weiterhin betrifft die Anmeldung ein Verfahren zum Herstellen eines vertikalen organischen Transistors sowie eine Schaltungsanordnung.