Vergleichende untersuchungen zur anwendung von siliciumnitrid und tantalpentoxid als pH-sensitive schicht für ionensensitive feldeffekttransistoren

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftForschungsartikelBeigetragenBegutachtung

Beitragende

Details

OriginalspracheDeutsch
Seiten (von - bis)313-318
Seitenumfang6
FachzeitschriftVDI Berichte
Ausgabenummer1255
PublikationsstatusVeröffentlicht - 1996
Peer-Review-StatusJa

Externe IDs

ORCID /0000-0003-3814-0378/work/156338373

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