Mit der zeitaufgel¨osten Untersuchung von Oberfl¨achenpotentialen ist esrnm¨ oglich, wichtige Erkenntnisse im Bereich der Ladungstr¨agerdynamikrnzu erzielen. Die stroboskopische Kelvinsonden-Methode hat gezeigt,rndass derartige Prozesse im nanoskaligen Bereich simultan mit hochrnaufgel¨osten Topografieinformationen untersucht werden k¨onnen. DasrnZiel dieser Arbeit ist die Verbesserung der Sensitivit¨at, sowie derrnlateralen Aufl¨osung eines existierenden Kelvinsonden-Rasterkraftmikroskopsrndurch das Hinzuf ¨ugen und Evaluieren eines zweiten Kelvin-rnRegelkreises. Damit ist es m¨ oglich, gleichzeitig sowohl kontinuierlichernals auch periodische Oberfl¨achenpotentiale zu detektieren. Die Funktionrndieser dualen stroboskopischen Methode konnte gezeigt und derenrnQuantitativit¨at best¨atigt werden. Schließlich wurde die neuentwickelternduale Technik verwendet, um das transiente Verhalten organischer Feldeffekttransistorenrnzu untersuchen. Es zeigte sich, dass bei hoher Dotierungrndes halbleitenden Kanals das dynamische Verhalten im wesentlichenrndurch den Kontaktwiderstand bestimmt wird.