Tunneling in semiconductor heterostructures studied by subpicosecond four-wave mixing
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Beitragende
Abstract
We apply time-resolved four-wave mixing as a novel tool to study resonant tunneling of carriers in semiconductor heterostructures. The polarization decay of excitons in a quantum well is much faster when the alignment of the electron levels in adjacent wells leads to resonant tunneling and subsequent scattering of the carriers.
Details
Originalsprache | Englisch |
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Seiten (von - bis) | 2031-2033 |
Seitenumfang | 3 |
Fachzeitschrift | Applied physics letters |
Jahrgang | 56 |
Ausgabenummer | 20 |
Publikationsstatus | Veröffentlicht - 1990 |
Peer-Review-Status | Ja |
Extern publiziert | Ja |
Externe IDs
Scopus | 0010206220 |
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WOS | A1990DC93500035 |