Ten-Nanometer Ferroelectric Si:HfO2 Films for Next-Generation FRAM Capacitors
Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen › Begutachtung
Beitragende
Details
| Originalsprache | Englisch |
|---|---|
| Seiten (von - bis) | 1300 - 1302 |
| Seitenumfang | 3 |
| Fachzeitschrift | IEEE electron device letters |
| Jahrgang | 33 |
| Ausgabenummer | 9 |
| Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2012 |
| Peer-Review-Status | Ja |
Externe IDs
| Scopus | 84865431003 |
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