Si CMOS compatible, compliant integration of lattice-mismatched semiconductors on Si(001): Example of fully coherent Ge/Si nanostructures

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Beitragende

  • F. Montalenti - , Università degli Studi di Milano Bicocca (Autor:in)
  • M. Salvalaglio - , Università degli Studi di Milano Bicocca (Autor:in)
  • A. Marzegalli - , Università degli Studi di Milano Bicocca (Autor:in)
  • P. Zaumseil - , Innovations for High Performance Microelectronics (Autor:in)
  • G. Capellini - , Roma Tre University (Autor:in)
  • T. U. Schuelli - , European Synchrotron Radiat Facil, European Synchrotron Radiation Facility (ESRF) (Autor:in)
  • M. A. Schubert - , Innovations for High Performance Microelectronics (Autor:in)
  • Y. Yamamoto - , Innovations for High Performance Microelectronics (Autor:in)
  • B. Tillack - , Technische Universität Berlin (Autor:in)
  • T. Schroeder - , Innovations for High Performance Microelectronics, Brandenburg University of Technology (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Titel2014 7TH INTERNATIONAL SILICON-GERMANIUM TECHNOLOGY AND DEVICE MEETING (ISTDM)
Herausgeber (Verlag)Wiley-IEEE Press
Seiten149-150
Seitenumfang2
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2014
Peer-Review-StatusJa
Extern publiziertJa

Konferenz

Titel7th International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM)
Dauer2 - 4 Juni 2014
StadtSingapore
LandSingapur

Externe IDs

Scopus 84906684284
ORCID /0000-0002-4217-0951/work/142237393

Schlagworte