Short-wavelength photoluminescence of SiO2 layers implanted with high doses of Si+, Ge+, and Ar+ ions

Publikation: Beitrag in Fachzeitschrift › Forschungsartikel › Beigetragen

Beitragende

  • GA Kachurin - (Autor:in)
  • IE Tyschenko - (Autor:in)
  • L Rebohle - (Autor:in)
  • W Skorupa - (Autor:in)
  • RA Yankov - (Autor:in)
  • H Froeb - (Autor:in)
  • T Boehme - (Autor:in)
  • Karl Leo - , Professur für Optoelektronik (Autor:in)

Details

OriginalspracheEnglisch
Seiten (von - bis)392-396
Seitenumfang5
FachzeitschriftSemiconductors
Ausgabenummer4
PublikationsstatusVeröffentlicht - 1998
Peer-Review-StatusNein

Externe IDs

Scopus 0041193059